NP法是日本佳能公司发明的一种新的静电复印方法，这种方法有别于传统的卡尔逊静电复印法，它是卡尔逊静电复印法的改进和发展。NP静电复印法基本过程它主要由前消电/前曝光、一次充电（主充电）、二次充电/图像曝光、全面曝光、显影、转印、分离、定影、鼓清洁9个基本步骤组成。 从上述步骤我们可以看到，NP法的静电复印过比典型的卡尔逊法静电复印过程复杂，其主要原因是NP法采用的光电导材料虽然光敏性很好，但暗阻率太低，充电以后暗衰太快，不能像硒等基它光电导材料那样能长时间地保存电荷。因此使用硫化镉等基它光电导材料那样能长时间地保存电荷。因此使用硫化镉光电导材料的感光鼓结也与典型卡尔逊法的感光鼓结构不同。 卡尔逊静电复印法的感光鼓一般是两层结构，即光电导层和导电基本。 而NP法的感光鼓则是由透明的绝缘层、光导层和导电基本三层构成。 NP法静电复印的过程除了静潜像的形成和显影过程外，基它都与卡尔逊法静电复印过程基本相同。NP法静电潜像的形成包括前消电/前曝光、一次充电、二次充电/图像曝光和全面曝光4个基本步骤。 1、前消电/前曝光 前消电/前曝光的过程是在第一次充电（主充电）前用负高压电晕放电来消除感光鼓表面由于前一次复印循环遗留的残余电荷，同时用荧光灯（前曝光灯）充分照射感光鼓（称为前曝光），以降低硫化镉光导层内部的电阻。前曝光的作用，一方面是使光导层的残余电荷可以充分泄入大地，另一方面则是为以后再对感光鼓进行主充电时，能够均匀地注入一定数量和极性的电荷提供条件，以防止由于静电潜像电荷分布不良造成复印浓度不均和黑实心图像中出现白色斑点的现象。NP法采用硫化镉分散体作为光电导层，这种材料在暗处放置一段时间后电阻率会大大增加，如果在这种情况下进行复印品产生底灰，甚至使得整个画面发黑。经过前消电/前曝光这一过程后，由于负高压电晕放电的影响，会使感光鼓表面略呈负电位。 2、一次充电 NP静电复印法通过在一次充电电晕器上加正极性直流高压进行正电晕放电，使感光鼓表面均匀充上一层正电荷，即形成一次电位。 当一次充电电晕器加上直流高压后，电晕器开始放电，使得电晕丝周围的空气电离，正极性的离子在电场的作用下，向感光鼓表面的绝缘层运动，由于绝缘层不导电，起着阻挡层的作用，这样电晕离子因不能穿过绝缘层而沉积在绝缘层表面，使绝缘表面均匀地充上一层正电荷。由于静电感应的作用，在接地的导电基体侧感应出等量的反极性电荷（负电荷），但因硫化镉是N型半导体，主要载流子是负电荷（电子），同时由于经过前曝光，光导层（硫化镉）的阻值下降，使得这些感应出的负电荷比较容易地注入到光导层，并在绝缘层表面正电荷的吸引下向表面正电荷方向迁移，最终到达光导层与绝缘层界面处，使硫化镉膜层表面带有与绝缘层表面相反的等量的负电荷，与表面正电荷相平衡，形成稳定状态。这样，硫化镉光导层表面就具有了一定的表面电位，从而在绝缘层表矶与导电基体间形成了一定的电位差，使感光鼓表面（即绝缘层面）具有一定的表面电位。随着充电时间的增长，表面电荷越积越多，感光鼓表面电位也相应升高。 3、二次充电/图像曝光 二次充电/图像曝光是一个过程的两个方面。这一过程是利用交流电晕器或反极性直流电晕器对感光鼓表面充电电荷进行消电的同时对感光鼓进行图像曝光的。二次充电的作用是中和绝缘层表面的正电荷；图像曝光则是为了在消电过程中使绝缘层表面形成与原稿明暗相对应的静电电荷分布。 当原稿图像被照射并通过光学系统投射到感光鼓表面时（即曝光），在感光鼓表面形成两个区域：带图像的“暗区”和不带图像的“明区”。在明区，由于光照使光导层（硫化镉）的电阻率大大降低，成为导体。原先驻留在光导层与绝缘层界面的负电荷（电子），随着绝缘层表面的正电荷被二次负电晕中和的同时，通过光导层向接地的导电基体泄逸。因此，明区的表面电位迅速下降至0伏左右。在暗区，则由于光导层（硫化镉）未受光照，基电阻率仍然很高（即保持绝缘状态）使得驻留在光导层与绝缘层界面的负电荷不能向导电基体方向泄逸。绝缘层表面正电荷受基影响，即由于绝缘层下面负性电荷的吸引，使得消电电晕只能中和掉一部分表面正电荷，大部分正电荷仍然保留在感光鼓暗区表面。此时，由于表面正电荷数量的减少 ，在绝缘层下面的负电荷多于绝缘层表面的下奄荷，因此在导电基体与光导层界面处又感应出正电荷（导电基体侧），基数量与表面正电荷减少的数量相等，以达到正负电荷量的平衡。虽然在感光鼓暗区仍保留有大部分表面电荷，但由于暗区仍保留大部分表面电荷，但由于暗区表面电位低于光导层的电位，因此仍未形成适用的静电潜像。也就是说，二次充电/图像曝光的结果，使得无论是在感光鼓的明区还是暗区，表面电位都已降为零电位，没有形成电位反差。